«Die enge Zusammenarbeit und die Bereitstellung von Prozessmodulen durch Fraunhofer IPMS haben es uns ermöglicht, den für eine Erweiterung unserer Fertigungskapazitäten nötigen Prozesstransfer auf 300-mm-Anlagen schneller als geplant voranzutreiben», freut sich Projektleiter Andreas Thamm von Infineon.
Dieser Meilenstein und der Ausbau von Kapazitäten im Bereich Smart-Power-Fab stärkt die Position von Infineon als führenden Anbieter von Hochleistungs-Schaltkreisen und sichert auch die Wettbewerbsfähigkeit des Standorts Dresden. Mit dem Neubau der Smart-Power-Fab tätigt Infineon eine der grössten Einzelinvestitionen seiner Geschichte. Dies ist ein wichtiger Beitrag, um den weltweit wachsenden Bedarf an Halbleitern zu decken – beispielsweise für Anwendungen zur Gewinnung erneuerbarer Energien, für den Einsatz in Rechenzentren und für die Elektromobilität.
Die Arbeiten von Infineon werden im Rahmen eines Vorhabens von gemeinsamem europäischem Interesse (Important Projects of Common European Interest, IPCEI) in den Bereichen Mikroelektronik und Kommunikationstechnologien durch die Europäische Union, das Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz sowie den Freistaat Sachsen gefördert. Mit der Förderung werden Entwicklungen zukunftsfähiger, innovativer Mikroelektronik und Kommunikationstechnologien bis zur Marktreife unterstützt. So soll die europäische Wertschöpfungskette vervollständigt und zur europäischen Technologiesouveränität beigetragen werden sowie durch energieeffiziente Technologien und Prozesse der Klimaschutz vorangebracht werden. Für die Reinraumbranche stellt dies eine permanente Herausforderung dar, denn in der Halbleiterbranche werden besonders strenge Anforderungen gestellt und insbesondere Reinräume der Klasse 1 benötigt.
Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems IPMS
Center Nanoelectronic Technologies CNT
D-01109 Dresden
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